當(dāng)前市場(chǎng)上常見(jiàn)的低壓無(wú)功補(bǔ)償系統(tǒng)形式可分為以下兩種：
第一種：也是傳統(tǒng)類型的補(bǔ)償系統(tǒng)，電容器+電抗器+投切開關(guān)+功率因數(shù)控制器及其他保護(hù)元件等，補(bǔ)償后功率因數(shù)可以提高到0.96以上。

第二種：比較新穎的無(wú)功補(bǔ)償系統(tǒng)，采用IGBT作核心元件，通過(guò)對(duì)線路進(jìn)行實(shí)時(shí)分析，可以發(fā)出無(wú)功對(duì)線路進(jìn)行雙向補(bǔ)償，這種形式無(wú)功補(bǔ)償效果更好，功率因數(shù)可以提高至1附近。

目前低壓電容器的容量可分為10Kvar、15Kvar、25Kvar、30Kvar，希拓電氣電容器的容量規(guī)格介于2~50Kvar之間，50Kvar電容器組也可以采用2支25Kvar配置。與電容器配套使用的還有電抗器，電抗器的作用主要就是抑制諧波和涌流，可以減少3，5，7，11次諧波對(duì)電容器的影響，與5Kvar~80Kvar電容器匹配使用。

再說(shuō)說(shuō)電容器投切開關(guān)，電容器投切可以分為動(dòng)態(tài)投切和靜態(tài)投切，那么如何區(qū)分動(dòng)態(tài)和靜態(tài)呢？國(guó)標(biāo)規(guī)定響應(yīng)時(shí)間1秒內(nèi)為動(dòng)態(tài)投切，超過(guò)3秒就算靜態(tài)投切。晶閘管開關(guān)又稱可控硅，屬于動(dòng)態(tài)投切開關(guān)。接觸器開關(guān)屬于靜態(tài)投切開關(guān)。晶閘管開關(guān)價(jià)格高于接觸器開關(guān)，但是響應(yīng)時(shí)間快，適合現(xiàn)場(chǎng)負(fù)載變化非常快的環(huán)境。

希拓電氣創(chuàng)立于2014年，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)于一體的高新技術(shù)企業(yè)，致力于為客戶提供一流的電能質(zhì)量解決方案，旗下有希拓電氣（上海）有限公司、希拓電氣（常州）有限公司。主要產(chǎn)品包括：電容器、電抗器、晶閘管投切模塊，無(wú)功功率控制器、低壓無(wú)功補(bǔ)償成套裝置、有源電力濾波器、靜止無(wú)功發(fā)生器及諧波保護(hù)器等。