可控硅投切電容器,是利用電子開關反應速度快的特點。采用過零點觸發(fā)電路,當檢測到施加于可控硅兩端電壓為零時,發(fā)出觸發(fā)信號,可控硅導通。此時電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等,因此不會產(chǎn)生合閘涌流,解決了接觸器合閘產(chǎn)生較大涌流的問題。目前市場上較多應用的動態(tài)無功補償裝置,基本上均采用此原理。但是可控硅導通運行時,會產(chǎn)生較大的功耗并轉化為熱量。因此目前市場是較多應用的是復合開關投切電容裝置,其工作原理是先由可控硅在電壓過零時投入電容器,然后再由磁保持繼電器觸點并聯(lián)閉合。可控硅退出,電容器在磁保持繼電器觸點閉合下運行。進而實現(xiàn)投入無涌流,運行不發(fā)熱的特點。GB/T15576-2008中對采用半導體電子開關及復合開關電容器的涌流應限制在該組電容器額定電流的5倍以下。以下是復合開關投入時產(chǎn)生產(chǎn)生的涌流試驗波形。投人時三相涌流圖3與單相涌流的波形圖圖4、數(shù)據(jù)比較如表2。